张淳博士主要观点认为：
·多晶黑硅PERC目前量产平均效率达到21%，对应60片组件功率300W+。
·鑫单晶（铸锭单晶）PERC目前量产平均效率达到21.8%，对应72片组件功率370W+。
·湿法黑硅在组件CTM方面有优势。
·2019年多晶黑硅PERC量产平均效率21.5%，鑫单晶PERC量产平均效率可达到22.2%。
·多晶PERC的LeTID控制已有产业化技术，鑫单晶需进一步优化。
以下为现场速记内容：
我代表协鑫集成报告一下高效多晶和铸造单晶方面的进展。
非常赞同沈辉老师的观点，在晶体硅电池的先进性和原创性上面，中国的企业和研发机构，原创性这块确实是我们的短板。但是在企业这块，我们争取把量产的高效技术做到极致。第二个方面可能铸造单晶这样一个概念是小小的例外，虽然不是100%中国人原创，但是中国人在这块的技术，原创性的贡献还是比较大的。
我的汇报主要是分三方面：第一个方面我想简单汇报和交流一下协鑫集成在多晶高效电池这块，也就是黑硅叠加PERC这块，在过去2—3年所取得的一些进展。
首先我们可以看到是黑硅技术俗称的干法也好、湿法也好，目前协鑫集成的效率就是基于这样一个工艺的改善优化，平均量产效率做到21%这样一个水平。而我想强调一下，这个效率水平全部都是在产线的量产设备一起配合做出来的，这既不是实验室的小规模，也不是实验室的中试线，完全是量产的设备和工艺来完成的。
大家可以看到量产平均效率21%多一点，同时结合抗光衰工艺目前还有一个小小的缺陷，效率上大概是0.2%左右的损失，但是总体上平均量产效率达到21%。然后我们可以看到单片最高效率21.62%，也不是实验室工艺，而是完全量产的这样一个测试结果。同时可以看到21%左右的这样一个效率分布，也是占60%、70%的比例。
那么我们可以同时看到在组件端，我们可以比较这样，结合常规组件，一个是白色EVA，一个是透明EVA，20.9%档位的效率也能做到360瓦的水平，也就是说多晶高效电池我们也能做到组件300瓦平均的水平。
同时目前的湿法黑硅也是主流，所以我们前面提到的提效的技术，无论是在干法和湿法上都能完全一个通用的结果，在湿法上主要是对比了一下电阻率的优化，同时王栩生博士也谈到后续多晶结合SE的技术，通过这样一个技术在多晶上也得到效率增益的体现。
可以看到湿法多晶的效率是完全没有叠加产线提效技术，所以根据量产设备实际情况，湿法黑硅做到20.6%和20.4%。如果叠加像干法提效技术的话，一般湿法的效率比干法低0.2%左右，所以我们湿法黑法结合PERC也能做到20.8%的量产效果。
同样在组件规律上，刚才王栩生博士提到湿法黑硅在组件的CTM方面相对于干法是有优势，虽然是20.6%的效率，同样300瓦的组件也可以做到50%以上的比例。
同样我们可以看到实际上在大规模量产组件的情况下，在20.4%左右不到的这样一个大规模量产效率的条件下，我们组件的290瓦以上比例，也达到80%几，这样随着电池的效率逐渐地提升，多晶黑硅PERC的平均档位到300瓦是完全可以实现的。
第二个部分想交流一下关于鑫单晶目前的进展，目前生产了一千多万片，协鑫集成大概是生产了500万片电池。实际上鑫单晶的提效也是主要分两个阶段，第一个阶段是可以看到在量产的实际效果，也就是起点不是很高。我们可以看到量产的平均效率21.2%左右，我们发现了几个主要的问题，我们先不说成本，主要是一些拖尾，就是左下角灰色的部分，同时谈到EL，还有它的光衰和三类片的分布。
还有就是在产线，我们选用不同的硅片，在小规模的试制，可以看到结合SE也好，可以做到21.7%、21.9%，证明鑫单晶可以做到这个效率。关于成本这块，这是目前我们这块的鑫单晶PERC每瓦的成本可能比湿法黑硅、干法黑硅，每瓦全成本贵几分钱左右，但是这样一个成本的降低空间还是巨大的。
这里的问题我们怎样解决，刚才王博士说我们的三类片一般是通过湿法黑硅完美解决。主要大批量的A类片是通过碱制绒这块，我们与王博士也有共同的观点。
同时EL，如果我们这样一个平均效率达到一个比较理想的水平，那么我们可以发现这样由低效率造成的电池EL的现象，基本上可以消除，前期我们可以看到20.9%、21.1%在EL端现象是比较严重的。
通过第一阶段150万片硅片的电池生产以及主要问题的发现，第二阶段又投入了大概300多万片电池的生产。通过这样一个电池、硅片的改善以及电池工艺的完善，那么第二批300多万片的电池平均效率达到了21.66%，接近21.7%的水平，当然这里有一个小圆圈是返工片的生产，可以忽略不计。
在300多万片的提质过程中，结合硅片的风险的改善，我们的效率提升又达到了新的高度，就是游达博士提到的，平均效率到了21.8%左右的平均效率。
随着自动化生产的加强，尾部低效的分布就大量地减少，大量高效的分布21.8%、21.9%这样一个比例超过了50%，结合22%以上的，大概基本上是70%以上的比例。那么鑫单晶如果要跟直拉单晶PK或者是同台竞争，目前21.8%的效率是远不够的。
那么我们就说除了这样一个效率方面的改善，我们良率，500万片的生产大家可以看到，良率目前是可以达到95%的这样一个水平，当然这个良率还有比较大的提升空间，到96%、97%都是必须的。
然后我们再看看这个组件，鑫单晶组件的这块，我们先选取了三个档位的组件，21.5%、21.6%、21.7%，主档位三个，我们看看它的档位分布的话，基本上主档位370瓦，365瓦也算一个小的档位。随着后续效率的提升，我们刚才说平均效率来到了21.8%，那么21.8%的平均效率，目前的组件CTM是不到96%，是偏低的，后续也有大的提升空间，现在的条件来估算，以全档位来分布的话，基本上370瓦和375瓦的比例会基本上占到70%左右。
效率根据研发的成果和单晶PERC的实际发展情况，提出2019年底鑫单晶到22.2%这样一个平均量产效率，从目前的21.8到21.9%，然后再有零点几的提升，这第一步我们目前已经实现的，因为这是最新的提效结果。
目前鑫单晶电池平均效率达到了21.95%，已经是接近22%的量产平均效率。所以说，到2019年底鑫单晶的平均量产效率超过22%，或者是跟直拉单晶的平均量产效率差保持在0.2%和0.3%是很有希望达到的。
除了这样一些效率和功率的这样一些进展以外，这时候无论是单晶、鑫单晶还是多晶，它的光衰，是我们都不能忽略的一个问题。我们自己在控制光衰这块目前取得的一些进展。
大家可以看到就是说三根曲线的对比，就是说红线、黑线是用了所谓的抗光衰工艺，而绿色是没有应用抗光衰工艺的结果，光衰条件是在75度，大约1000小时，这下面的横坐标是1200小时这样的一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的，基本上是控制在2%以内，没有用抗光衰工艺的衰减幅度大，目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺，当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性，后续我们会做优化。相信多晶优化的结果在鑫单晶上更优化，效果比多晶更好。
这是我们在Fraunhofer上的组件，分两步测了LID和LeTID。先把我们的组件做了LID的测试。
然后再把组件做了LeTID的测试。
这是Fraunhofer的测试条件，这个比较严苛，LID用了85度，Le TID用了50度或60度的。LID的组件效果是好的，基本上只有2%—4%的衰减。然后LeTID，85度我们的光衰依然是1.5%左右的衰减。从光衰这块的结果，无论是自己测的长时间的超过一千小时的结果，还是Fraunhofer这样的检测结果，都是完全满足产品的竞争，同时跟单晶的PK中也毫不落下风。所以说这样的一个光衰工艺利用到鑫单晶的PERC电池上，相信也会有满意的结果。
当然，我们刚才前面也说了，目前的抗光衰工艺也不否认，应用在单晶和鑫单晶上面都有少许的损失，应用到多晶上面，是0.2%少许的损失，用在鑫单晶上0.15%的效率损失。相信后面我们效率的提升和工艺的改善，我们有信心控制在0.1%以内，无论是从电池的效率还是这样一个稳定性上面，无论是高效多晶和鑫单晶，目前在协鑫集成都取得了一些比较好、比较稳定的一些结果。
总结一下，多晶黑硅PERC目前量产平均效率达到21%，对应60片组件功率超过300W+，鑫单晶PERC目前量产平均效率达到21.8%，对应72片组件功率370W+。2019年目标，多晶黑硅PERC量产平均效率目标是21.5%，鑫单晶PERC量产平均效率可达到22.2%。多晶PERC的LeTID控制已有产业化技术，鑫单晶需进一步优化。
谢谢大家！
